NIJ-2989D晶体三管正偏二次击穿热阻抗测试仪

晶体三管正偏二次击穿、热阻抗测试系统产品简介： 晶体三管正偏二次击穿热阻抗测试仪可测试**型号中、大功率晶体管的二次击穿电压和热阻抗参数。系统软件基于微软视窗系统的操作环境，使您轻松掌握测试。 本系统采用计算机自动控制，为用户提供友好直观的操作界面，测试数据处理方便，自动绘制PD（热阻功率）曲线和二次击穿曲线，并求两曲线的交点，在该交点及其附近靠内一点测试器件的热阻值。 晶体三管正偏二次击穿、热阻抗测试系统功能特点： 1.正偏二次击穿电压测试可测试NPN型晶体三管，热阻抗测试可测试**型号中、大功率晶体管测试方法灵活、开放； 2.灵活的M值测试，可控制测试过程中不测试M值而自行输入M值； 3.可定时测试，稳态热阻测试也可定特定时间内温差测试； 4.加热电源可遥控也可手动； 5.采用**微机控制，基于Windows系统的控制软件，具有友好的人机交互界面，窗口填表式编程，测试结果以表格及图形曲线方式显示，使您轻松掌握测试。 晶体三管正偏二次击穿、热阻抗测试系统规格参数： 加热电压源：0-300V 负载能力：3.5A，可根据用户需要进行功率扩展，到10A 加热电流源IH： 电流量程       分辨力     精度 -250mA-250mA   122uA     ±(610uA+2%set) ±(250mA~2.5)A 1.22mA    ±(6.1mA+2%set) ±(2.5A~3.5)A  12.2mA    ±(61mA+2%set) 测量电流源IM 电流量程：-250mA~250mA 分 辨 力：122uA 精    度：±(244uA+0.5%set) VBE电压表： 电压量程        分辨力    精度 -312.5~312.5mV  152.5uV  ±(1.22mV+1%Rdg) ±(312.5~625)mV 305uV    ±(1.22mV+0.8%Rdg) ±(0.625~1.25)V 0.61mV   ±(2.44mV+0.3%Rdg) ±(1.25~2.5)V   1.22mV   ±(2.44mV+0.25%Rdg) VCE电压表 电压量程          分辨力     精度 -8.125~8.125V     3.97 mV   ±(7.94mV+0.25%Rdg) ±(8.125~16.25)V  7.94mV    ±(15.88mV+0.25%Rdg) ±(16.25~32.5) V  15.88mV   ±(31.76mV+0.25%Rdg) ±(32.5~65) V     31.76mV   ±(63.52mV+0.25%Rdg) ±(65~130) V      63.52mV   ±(127.04mV+0.25%Rdg) ±(260~300) V     127.04mV  ±(254.08mV+0.25%Rdg) 加热脉冲宽度 脉宽：1ms 2ms 5ms 10ms 20ms 50ms 100ms 200ms 500ms       1s 2s 5s 10s 20s 50s 100s 200s 500s 1000s 2000s 5000s （1s以上的测试需要测试盒使用**散热器） 测量范围：10℃~125℃ 精        度：±0.5℃ 环境温度：10℃~35℃ 开机到测量M 值，环境温度变化应在±2℃以内 光        照：应避免光线直射测试盒及主机 热        源：应避免测试盒及主机附近有较强热源 相对湿度：≤80%(40℃) 大气压力：86~106KPa 供电电压：220V±10% 供电电流：50Hz±5% 额定功率：1.5KW 尺寸：550×535×220mm 总        重：50kg 预热时间：30分钟